بهینه سازی توان مصرفی در تقویت کننده های توان با در نظر گرفتن پارامترهای خطینگی برای مصارف ارتباطات سیار

در این پایان نامه به طراحی و شبیه سازی تقویت کننده ی توان برای مصارف سیار با استفاده از تکنولوژی cmos پرداخته شده است. برای این منظور از دو طبقه تقویت کننده ی کلاس e استفاده شده است. این طبقات، توان مورد نیاز استاندارهای مخابراتی را تامین می کنند اما برای دستیابی به پارامترهای خطینگی، تقویت کننده طبقه ی دوم با استفاده از روش های مداری خطی شده است. روش های موجود در سطح سیستمی برای خطی سازی تقویت کننده ها پیچیدگی زیادی به همراه دارند. این سطح بهینه سازی باعث افزایش توان تلفاتی و در نتیجه کاهش pae مدار نهایی می شود، این مشکل زمانی پر رنگ تر می شود که تقویت کننده برای مصارف سیار بکار رود. لذا در این پایان نامه سعی شده است که با طراحی بهینه در سطح مداری، خطینگی مناسب برای کاربردهای سیار محقق شود. طراحی بهینه ی شبکه های تطبیق در تقویت کننده ی خروجی و تقویت کننده ی درایور و همچنین حذف خازن پارازیتی طبقه خروجی، تقویت کننده را از نظر بازده و همچنین پارامترهای خطینگی بهبود داده است.علاوه بر پارامترهای بازده و خطینگی، استاندارد پارامتر دیگری برای طراح تعریف می کند. توانایی مدار در کنترل توان خروجی است. در این پایان نامه این محدودیت از طریق تغییر سایز ترانزیستور در تقویت کننده ی طبقه اول مرتفع شده است.تقویت کننده ی پیشنهادی در این پایان نامه توانسته است با استفاده از بهینه سازی در سطح مداری، توان مورد نیاز سیستم مخابراتی wcdma را با در نظر گرفتن پارامترهای خطینگی تامین کند. شبیه سازی های مدار با استفاده از تکنولوژی um-tsmc rf cmos 18/0 در نرم افزارads صورت گرفته است. در مدار طراحی شده، توان dbm 24 با pae 58% در فرکانس کاری ghz95/1 بدست آمده است، ماکزیمم گین مدار db3/18در توان ورودی dbm 5 بوده است. میزان ip3 بدست آمده برای این مدار dbm 77/25 می باشد.